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デバイス技術研究開発センター

世の中に今あるメモリは、揮発性メモリ（DRAM）と不揮発性メモリ（フラッシュメモリ）2つに大別されます。DRAMはコンピュータのCPUに直結しているメモリで、非常に高速で動くのが特徴である一方、電気を切るとデータが消えてしまう点が大きな課題。逆にフラッシュメモリは、電気を切ってもデータが消えない代わり、書き込みのスピードが遅いという問題があります。それだけに、不揮発性と高速性を併せ持つメモリがあれば、より使いやすくて低消費電力の情報機器を実現できるのではないか。こうした世の中のニーズに応えるべく、デバイス技術研究開発センターでは、新しい概念、新しい物理現象に基づく、世の中にまだ出ていない先物の研究開発を推進しています。

システム技術研究開発センター

2020年には40ZB(ゼタバイト:テラバイトの10億倍)以上のデータ量が生み出され、情報爆発が起こると言われるほど、ビッグデータの時代は加速的に進み続けています。 システム技術研究開発センターでは、こうした流れを捉えながら、3年後・5年後・10年後に、コンピュータシステムやストレージがメモリデバイスに何を求めているのか。ストレージクラスメモリを組み込んだ次世代ストレージシステムの開発や、ストレージコンピューティングの研究など、将来を見据えた研究開発を推進しています。

プロセス技術研究開発センター

半導体は超微細化を進めることで、高機能化とコストダウンを両立させて発展してきました。しかし、光を使うリソグラフィ技術は解像力が限界に達しつつあり、今以上の超微細化は非常に難しくなっています。プロセス技術研究開発センターでは、この限界を打ち破るべく、独自のアプローチで世界を革新するプロセス技術の研究開発を推進しています。

デジタルトランスフォーメーション
技術研究開発センター

デジタルトランスフォーメーション技術研究開発センターは、機械学習(Machine Learning) 等の最先端デジタル技術の研究、及びシステム基盤の構築、更にはクラウド、ビッグデータ、IoTなどの先端技術を導⼊したスマートファクトリーを⽬指します。3次元フラッシュメモリ「BiCS FLASH™」を中⼼とする最先端フラッシュメモリを開発するための「デバイス構造や回路パラメータの最適化」、製造するための「プロセス装置の集中制御」を研究しています。またフラッシュメモリの世界的需要に応えるため、⾼度な「⾃動⽣産」システム、⼯程内での徹底的な「歩留り解析」と「品質管理」に必須となる研究開発を推進しています。