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先端メモリ開発センターは3次元フラッシュメモリ「BiCS FLASH™」の開発を担っており、直近での開発を担う、デバイス/インテグレーション/プロセス技術開発の部門と、将来技術の先行開発を担う部門にて構成されております。開発ラインと量産工場の一体運営により、スピーディな低コスト・高信頼性デバイス開発を推進しています。

メモリ事業部では、フラッシュメモリ技術をコアとする製品開発を行っています。フラッシュメモリは、世界に先駆けて東芝が開発した不揮発性半導体メモリで、スマートフォンやタブレットなどの携帯機器や、USBメモリ、SDメモリカードからSSDにいたるストレージメモリにおいて、欠かすことのできないコアデバイスとなっています。市場の要求に応えるため、微細化・３次元化への挑戦、大容量化やハイパフォーマンス・高信頼性の追求により、持続的・継続的なフラッシュメモリ技術の進化を推進しています。

SSDとは、フラッシュメモリをキー部品として使用したストレージデバイスです。高速データ処理、耐振動・耐衝撃特性、低消費電力、小型形状という特徴を活かし、先端技術で高速エンタープライズやクラウドサービス普及によりデータセンタ向けとして今後の急速な市場規模拡大が見込まれています。当社は最先端のフラッシュメモリと独自のコントローラ技術の組み合わせによって高性能、高信頼性でコスト競争力のあるSSDを継続して開発しています。